供电电压 10 V DC ... 30 V DC 1)

残余纹波 ± 10 % 2)

电流消耗 30 mA 3)

开关量输出 PNP

开关类型 明/暗切换

开关类型可选 明通/暗通开关 可选

信号电压 PNP 高电平/低电平 约 UV - 1.8 V / 0 V

输出电流 Imax. ≤ 100 mA

响应时间 ≤ 0.5 ms 4)

开关频率 1,000 Hz 5)

连接类型 插头，M8，4 针

保护电路

A 6)

传感器原理/ 检测原理 漫反射光电传感器, 背景抑制功能

尺寸(宽 x 高 x 深) 11 mm x 31 mm x 20 mm

外壳形状（光束出口） 方形

大开关距离 30 mm ... 300 mm 1)

感应距离 40 mm ... 300 mm 1)

光源种类 可见红光

光源 LED 2)

光点尺寸（距离） Ø 20 mm (300 mm)

轴长 650 nm

设置 电位计，4 圈

光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3 类：（1 ）在光线作用下能使电子溢出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等；（2 ）在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等；（3 ）在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏*应，如光电池等。 [2]

1040766 IME12-04BPSZW2S.

1040767 IME12-04BPOZC0K.

1040768 IME12-04BPOZC0S.

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1040774 IME12-04BNSZW2S.

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1040776 IME12-04BNOZC0S.

1040777 IME12-04BNOZW2K.

1040778 IME12-04BNOZW2S.

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1040783 IME12-08NPOZC0K.

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1040785 IME12-08NPOZW2K.

SICK漫反射光电传感器WTB8-P2231